三、對於高度摻雜的p+-n+穿隧二極體（Tunneling diode），請繪出此穿隧二極體工作於順向偏壓下的電流對電壓（Current-voltage，I-V）特性曲線圖，並加以解釋所繪電流對電壓曲線圖之意義。（20 分）

一、對一n型摻雜且室溫（300 K）下濃度為 1 × 1015 cm-3的矽半導體，試畫出此半導體在低溫（如低於 77 K）與高溫（如高於 500 K）時的能帶圖，此能帶圖需包含費米能階與能隙的變化，並加以解釋所繪能帶圖之意義。（10 分）