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半導體工程
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97年 - 97 地方政府特種考試_三等_電子工程:半導體工程#39852
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題組內容
五、對於一本質(Intrinsic)的矽半導體,進行淺層摻雜(Shallow doping)主要有擴散 與離子佈植兩種技術。
⑵通常在離子佈植過程中有所謂的通道效應(Channeling effect),通道效應是什麼? 對元件特性有什麼影響?(15 分)
相關申論題
一、對一n型摻雜且室溫(300 K)下濃度為 1 × 1015 cm-3的矽半導體,試畫出此半導體 在低溫(如低於 77 K)與高溫(如高於 500 K)時的能帶圖,此能帶圖需包含費米 能階與能隙的變化,並加以解釋所繪能帶圖之意義。(10 分)
#120329
二、p-n 二 極 體 有 所 謂 的 空 乏 電 容 ( Depletion capacitance ) 與 擴 散 電 容 ( Diffusion capacitance),請說明這兩種電容的形成機制。(10 分)
#120330
三、對於高度摻雜的p+-n+穿隧二極體(Tunneling diode),請繪出此穿隧二極體工作於 順向偏壓下的電流對電壓(Current-voltage,I-V)特性曲線圖,並加以解釋所繪電 流對電壓曲線圖之意義。(20 分)
#120331
四、⑴在 雙 極 性 電 晶 體 ( Bipolar Junction Transistor, BJT) 中 有 所 謂 的 歐 利 效 應 (Early effect),請說明此效應的產生機制。(10 分)
#120332
⑵在金屬-氧化層-半導體場效應電晶體( Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,MOSFET)中有所謂的夾止(Pinch-off)現象,請說明此現象的產生 機制。(10 分)
#120333
⑶光檢測器(Photodetector)和太陽電池(Solar cell)都是二極體經照光後可將光能 轉換為電能的元件,試畫出光檢測器和太陽電池在照光前後的電流對電壓 (Current-voltage,I-V)特性曲線圖,並解釋這兩種元件的差異。(10 分)
#120334
⑴請說明這兩種技術所得到的濃度對深度的分布(Depth profile)有什麼不同?(15 分)
#120335
五、隨著技術節點持續微縮,曝光技術亦不斷演進。請說明自曝光波長λ=248 nm KrF 以降,至鰭式場效電晶體(FinFET)時代,如何運用各種 不同的曝光技術與圖案化方法來實現更微小的電路圖案。(20 分)
#560352
(二)如何從汲/源極設計的角度來抑制短通道效應?並說明此方法可能導致的副作用。(12 分)
#560351
(一)請說明為何金氧半場效電晶體(MOSFET)的長通道與短通道元件之臨界電壓會有所不同。(8 分)
#560350
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