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電子學
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97年 - 97 普通考試_電力工程、電子工程、電信工程：電子學概要#48718
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一、⑴試繪圖說明增強型 n-MOSFET 之半導體結構圖
其他申論題
⑴ a, b 兩端之等效阻抗 為何？
#169908
⑵ 若此時電源 = 10∠0°(V ) ，且其電源具有一內部阻抗 ，在何種情況下，a,b 兩 點之間之負載可獲得最大功率轉換？
#169909
⑶ 同第⑵ 題，a,b 兩點之間之負載可吸收最大功率為何？
#169910
⑷ 若此時電源 = 10∠0°(V ) ，而電源內部阻抗 = 0 ，求此電路之平均功率為何？
#169911
⑵一個n通道MOSFET工作於飽和區域，MOSFET常數Kp ＝20mA/V2 ，臨界電壓（ threshold voltage）為Vt＝1.5V，若閘極-源極間之電壓為VGS＝3V，試求MOSFET 於飽和狀態時之汲極電流ID值以及小信號轉導（transconductance）gm值。（20 分 ）
#169913
⑴輸出電壓vo對 時間關係圖，
#169914
⑵電阻R
#169915
及⑶平均二極體電流值ID(av)。（20 分）
#169916
三、⑴試說明一回授電路（feedback circuit）產生振盪之條件
#169917
⑵試繪 SR 正反器（flip-flop）之符號圖及其真值表
#169918
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