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電子學
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97年 - 97 普通考試_電力工程、電子工程、電信工程:電子學概要#48718
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⑵一個n通道MOSFET工作於飽和區域,MOSFET常數K
p
=20mA/V
2
,臨界電壓( threshold voltage)為Vt=1.5V,若閘極-源極間之電壓為V
GS
=3V,試求MOSFET 於飽和狀態時之汲極電流I
D
值以及小信號轉導(transconductance)g
m
值。(20 分 )
其他申論題
⑵ 若此時電源 = 10∠0°(V ) ,且其電源具有一內部阻抗 ,在何種情況下,a,b 兩 點之間之負載可獲得最大功率轉換?
#169909
⑶ 同第⑵ 題,a,b 兩點之間之負載可吸收最大功率為何?
#169910
⑷ 若此時電源 = 10∠0°(V ) ,而電源內部阻抗 = 0 ,求此電路之平均功率為何?
#169911
一、⑴試繪圖說明增強型 n-MOSFET 之半導體結構圖
#169912
⑴輸出電壓vo對 時間關係圖,
#169914
⑵電阻R
#169915
及⑶平均二極體電流值ID(av)。(20 分)
#169916
三、⑴試說明一回授電路(feedback circuit)產生振盪之條件
#169917
⑵試繪 SR 正反器(flip-flop)之符號圖及其真值表
#169918
⑶試解釋 Static RAM(SRAM)
#169919