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97年 - 97 普通考試_電力工程、電子工程、電信工程:電子學概要#48718
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申論題
試卷:97年 - 97 普通考試_電力工程、電子工程、電信工程:電子學概要#48718
科目:電子學
年份:97年
排序:0
申論題資訊
試卷:
97年 - 97 普通考試_電力工程、電子工程、電信工程:電子學概要#48718
科目:
電子學
年份:
97年
排序:
0
申論題內容
⑵一個n通道MOSFET工作於飽和區域,MOSFET常數K
p
=20mA/V
2
,臨界電壓( threshold voltage)為Vt=1.5V,若閘極-源極間之電壓為V
GS
=3V,試求MOSFET 於飽和狀態時之汲極電流I
D
值以及小信號轉導(transconductance)g
m
值。(20 分 )