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電子學
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97年 - 97 普通考試_電力工程、電子工程、電信工程:電子學概要#48718
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題組內容
二、圖 1(a)所示為一截波電路(clipping circuit),外加信號電壓v
s
如圖 1(b)所示。電池 電壓E
1
為E
1
=10V,二極體之峰值電流限制為 30mA,試求
及⑶平均二極體電流值I
D
(av)。(20 分)
其他申論題
一、⑴試繪圖說明增強型 n-MOSFET 之半導體結構圖
#169912
⑵一個n通道MOSFET工作於飽和區域,MOSFET常數Kp =20mA/V2 ,臨界電壓( threshold voltage)為Vt=1.5V,若閘極-源極間之電壓為VGS=3V,試求MOSFET 於飽和狀態時之汲極電流ID值以及小信號轉導(transconductance)gm值。(20 分 )
#169913
⑴輸出電壓vo對 時間關係圖,
#169914
⑵電阻R
#169915
三、⑴試說明一回授電路(feedback circuit)產生振盪之條件
#169917
⑵試繪 SR 正反器(flip-flop)之符號圖及其真值表
#169918
⑶試解釋 Static RAM(SRAM)
#169919
⑷試解釋雙穩態振動器(bistable multivibrator) (20 分)
#169920
⑴試求每一節點 之電壓及所有分支電流(branch current),
#169921
⑵試繪出MOSFET之小訊號等效電路圖。( 20 分)
#169922