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積體電路技術
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97年 - 97 高等考試_二級_電子工程:積體電路技術#49064
> 申論題
一、在西元 2007 年,某一國際知名半導體公司宣布推出一最先進之 NAND 型快閃記憶 體(NAND Flash memory)單一晶片,該晶片係以 50 奈米(nm)製程製作,內含 160 億個位元(bit)。試說明每一位元約占多少面積?(6 分)如一位元的電路為 正方形的話,則其長度約為多少倍的線寬?(6 分)
相關申論題
二、在實際應用中除第一題中所提及的 NAND 型快閃記憶體,尚有一種 NOR 型快閃記 憶體,試說明此兩者之間電路架構的相異之處,(10 分)並詳述此二種記憶體之各 自應用範圍有何不同。(10 分)
#172046
三、以一 N-well CMOS 製程為例,說明製作一 PMOS 電晶體所需之各項步驟。(20 分)
#172047
⑴ Diffusion
#172048
⑵光阻
#172049
⑶ LDD structure
#172050
⑷ Hot electron
#172051
⑸ Tunneling
#172052
⑹ E-beam lithography and its advantage
#172053
四、假設均使用正光阻製程,欲製作如圖所示之積體電路元件。則在盡可能使用最少光罩數目的情況下,設計所有需要的光罩示意圖(以斜線表示光罩上不透光區域,以空白表示透光區域)。並搭配所設計的光罩,由 p-Si 基底開始,依照製程順序列出所有必要的製程步驟,並加以說明。
#554255
(五)由於清洗製程不完全,導致氧化層產生多餘的不明負電荷
#554254
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