四、假設均使用正光阻製程,欲製作如圖所示之積體電路元件。則在盡可能使用最少光罩數目的情況下,設計所有需要的光罩示意圖(以斜線表示光罩上不透光區域,以空白表示透光區域)。並搭配所設計的光罩,由 p-Si 基底開始,依照製程順序列出所有必要的製程步驟,並加以說明。