申論題

在光微影蝕刻術（optical lithography）中，紫外光（UV光）扮演著至關重要的角色。光微影是製造半導體裝置的關鍵步驟之一，其過程包括使用紫外光照射覆蓋有感光材料（光阻）的晶圓。紫外光的角色包括：

曝光：紫外光通過一個精確製作的光罩（mask）照射到光阻上，光罩上有裝置設計的圖案。紫外光會使光阻中的化學結構發生改變，這使得曝光部分的光阻變得可溶或不可溶，取決於使用的光阻是正向還是負向。

圖案轉移：紫外光使光阻硬化或變軟，從而轉移光罩上的圖案到光阻層上。這一步在微影過程中極為重要，因為它決定了晶片上微小電路的精確性和解析度。

發展：在曝光後，晶圓會經過一個化學發展過程，將未硬化（或未保護）的光阻去除，留下曝光後硬化（或保護）的圖案。

蝕刻：圖案轉移完畢後，未被光阻覆蓋的區域會被化學或等離子蝕刻過程去除，而光阻保護的區域則不受影響。

清洗：最後，將剩餘的光阻去除，留下所需的半導體裝置結構。

使用紫外光是因為它具有較短的波長，可以產生較小的特徵尺寸，從而提高晶片上電路的密度和整體性能。隨著技術的進步，越來越短的波長（如極紫外光，EUV）正被研究和使用，以進一步提高微影技術的解析度。