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94年 - 94 地方政府特種考試_三等_電子工程：半導體工程#40578

科目：半導體工程 | 年份：94年 | 選擇題數：0 | 申論題數：12

試卷資訊

所屬科目：半導體工程

選擇題 (0)

申論題 (12)

一、請說明在光微影蝕刻術（optical lithography）中，紫外光所扮演的角色。 （5分）
二、在什麼情況下，我們使用 r.f.濺鍍而不使用 d.c.濺鍍？（5 分）
三、在什麼情況下，我們在矽元件中使用氮化矽（silicon nitride）作絕緣層而不使用氧化 矽（silicon dioxide）？（5 分）
四、請說明為什麼半導體在離子佈植後，熱處理需要使用比較高的溫度來進行？（5 分）
五、通常在離子佈植過程中，我們使用光阻來作為阻止離子佈植的區域；而在擴散過程 中卻不使用光阻來作為阻止摻雜雜質擴散的區域。為什麼？（10 分）
六、以化學氣相沉積法（CVD）成長的氧化物及氮化物分別稱為 SiO2 及 Si3N4，而以電漿 加強式化學氣相沉積法（PECVD）成長的氧化物及氮化物分別稱為 SiOx 及 SiNx，為 什麼？（10 分）
(一)請說明它們形成歐姆接觸的機制。 （10 分）
(二)在接觸電 阻的量測技 術， 我們常 使用 一種 稱為傳 輸線 方法（ transmission line ，請描述此方法如何量測接觸電阻。 method） （10 分）
(一) 請說明這兩種量測方法的基本原理。（10 分）
(二)請說明這兩種方法量測出來的濃度，何者會較高？為什麼？（10 分）
(一)計算抽氣泵（pump）的抽氣速率（以單位為 atm/sec 表示）？（10 分）
(二)計算反應腔室中，一個氣體分子的殘餘時間（residence time）？（10 分）