申論題

射頻濺鍍（r.f. sputtering）和直流濺鍍（d.c. sputtering）是兩種常見的濺鍍技術，用於沉積薄膜。它們的選擇取決於所需沉積材料的電導性質和其他沉積過程的要求。

射頻濺鍍通常在以下情況下被選用：

非導體材料：當需要濺鍍絕緣或非導體材料（如氧化物、氮化物或陶瓷）時，d.c.濺鍍無法有效運作，因為它需要目標材料能夠導電。射頻濺鍍可以在較高的頻率下工作，使得電子在不導電的目標材料表面“跳躍”，從而使材料濺射。

避免充電積聚：在濺鍍絕緣材料時，使用直流電會在目標表面產生充電積聚，這會導致濺鍍過程不穩定。射頻濺鍍可以避免這種充電，因為電場的快速變化不允許充電積聚。

較薄的膜層：射頻濺鍍允許更精細的過程控制，可以產生較薄和更均勻的膜層。

較低的溫度：對於溫度敏感的基板材料，射頻濺鍍可能是更佳的選擇，因為它可以在較低的溫度下進行。

複合材料：當沉積由不同材料混合而成的複合薄膜時，射頻濺鍍可以提供更好的膜層質量和均勻性。

直流濺鍍則通常用於導電目標材料，如金屬，因為它比射頻濺鍍更簡單、成本更低。然而，直流濺鍍在處理非導體材料時存在限制，這時就需要使用射頻濺鍍。