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申論題

試卷：94年 - 94 地方政府特種考試_三等_電子工程：半導體工程#40578
科目：半導體工程
年份：94年
排序：0

申論題資訊

試卷：94年 - 94 地方政府特種考試_三等_電子工程：半導體工程#40578
科目：半導體工程
年份：94年
排序：0

申論題內容

六、以化學氣相沉積法（CVD）成長的氧化物及氮化物分別稱為 SiO2 及 Si3N4，而以電漿 加強式化學氣相沉積法（PECVD）成長的氧化物及氮化物分別稱為 SiOx 及 SiNx，為 什麼？（10 分）