二、⑴考慮T=300 K摻雜鎵原子（Ga）2 × 1016 atoms/cm3於純矽晶體中，若本質濃度ni ＝1.5 × 1010/cm3，則決定摻雜後之材料為n型或p型及電子濃度（n）、電洞濃度（ p）。（8 分）

五、對 MOS 寄生電容而言，在 T=300 K 下，考慮 p 型矽基板 (ε s = 11.7ε 0 ) ， ε 0 = 8.85 × 10 −14 F / cm 2 其摻雜量Na ＝1016/cm3 ，若氧化層是二氧化矽 (ε ox = 3.9ε 0 ) ， ° 厚度為 550 A ，而且閘極為鋁材質，試計算出氧化層電容（Cox）、最小電容（Cmin）及平帶電容（CFB）等值。（20 分）