⑵請說明反應性離子蝕刻（Reactive Ion Etch）的原理，並說明其是否為選擇性和等向性蝕刻。（10 分）

五、對 MOS 寄生電容而言，在 T=300 K 下，考慮 p 型矽基板 (ε s = 11.7ε 0 ) ， ε 0 = 8.85 × 10 −14 F / cm 2 其摻雜量Na ＝1016/cm3 ，若氧化層是二氧化矽 (ε ox = 3.9ε 0 ) ， ° 厚度為 550 A ，而且閘極為鋁材質，試計算出氧化層電容（Cox）、最小電容（Cmin）及平帶電容（CFB）等值。（20 分）