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申論題資訊

試卷:98年 - 98 地方政府特種考試_三等_電子工程:半導體工程#39790
科目:半導體工程
年份:98年
排序:0

申論題內容

⑵考慮矽在T=300 K且施體濃度Nd=1017/cm3、Na=0,若Nc=2.8 × 1019/cm3、Nv =1.04 × 1019/cm3,則計算此摻雜濃度時費米能階相對於本質費米能階的位置。(7 分)