⑵考慮矽在T＝300 K且施體濃度Nd＝1017/cm3、Na＝0，若Nc＝2.8 × 1019/cm3、Nv ＝1.04 × 1019/cm3，則計算此摻雜濃度時費米能階相對於本質費米能階的位置。（7 分）

五、對 MOS 寄生電容而言，在 T=300 K 下，考慮 p 型矽基板 (ε s = 11.7ε 0 ) ， ε 0 = 8.85 × 10 −14 F / cm 2 其摻雜量Na ＝1016/cm3 ，若氧化層是二氧化矽 (ε ox = 3.9ε 0 ) ， ° 厚度為 550 A ，而且閘極為鋁材質，試計算出氧化層電容（Cox）、最小電容（Cmin）及平帶電容（CFB）等值。（20 分）