阿摩線上測驗
登入
首頁
>
半導體工程
>
98年 - 98 地方政府特種考試_三等_電子工程:半導體工程#39790
>
⑵試述 pn 接面之兩種接面崩潰(junction breakdown)機制,並以能帶圖說明之。 (8 分)
其他申論題
⑵假設每一個原子為一個硬球體且表面與相鄰原子的表面緊密相接,試求在面心立 方晶格(fcc)中,單胞中被原子占據的體積比例。(8 分)
#119862
二、⑴考慮T=300 K摻雜鎵原子(Ga)2 × 1016 atoms/cm3於純矽晶體中,若本質濃度ni =1.5 × 1010/cm3,則決定摻雜後之材料為n型或p型及電子濃度(n)、電洞濃度( p)。(8 分)
#119863
⑵考慮矽在T=300 K且施體濃度Nd=1017/cm3、Na=0,若Nc=2.8 × 1019/cm3、Nv =1.04 × 1019/cm3,則計算此摻雜濃度時費米能階相對於本質費米能階的位置。(7 分)
#119864
三、⑴試述 pn 接面在交流小訊號情況下之等效電路,並推導公式之由來。(7 分)
#119865
【已刪除】四、如圖所示,在T=300 K時,給予一組參數,若xB << LB,xE << LE,試計算一個npn雙 極性電晶體的共射極電流增益 γ 、 αT 、 δ 值。(15 分) DE = 10 cm2 / sec xB = 0.70 µm DB = 25 cm2 / sec xE = 0.50 µm τE0 = 1 × 10-7 sec NE = 1 × 1018 cm-3 τB0 = 5 × 10-7 sec NB = 1 × 1016 cm-3 Jr0 = 5 × 10-8 A / cm2 VBE = 0.65 volt Js0 = 1.29 × 10-9 A / cm2 npn
#119867
五、對 MOS 寄 生 電 容 而 言 , 在 T=300 K 下 , 考 慮 p 型 矽 基 板 (ε s = 11.7ε 0 ) , ε 0 = 8.85 × 10 −14 F / cm 2 其摻雜量Na =1016/cm3 ,若氧化層是二氧化矽 (ε ox = 3.9ε 0 ) , ° 厚度為 550 A ,而且閘極為鋁材質,試計算出氧化層電容(Cox)、最小電容(Cmin) 及平帶電容(CFB)等值。(20 分)
#119868
六、⑴請解釋為何射頻濺鍍法(RF sputter)能同時濺鍍導電與非導電材質,而直流濺鍍 法(DC sputter)僅能濺鍍導電材質的原因。(10 分)
#119869
⑵請說明反應性離子蝕刻(Reactive Ion Etch)的原理,並說明其是否為選擇性和等 向性蝕刻。(10 分)
#119870
一、造形美學上所謂「美的形式原理」包括那些法則?請詳細說明之。(25 分)
#119871
二、何謂「機器美學時代」?它與包浩斯時代的關係為何?對當時設計界的影響為何? 請詳細說明之。(25 分)
#119872