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108年 - 108年關務三等 電子學與電路學#75739
> 申論題
四、試分析下圖的電晶體電路，並說明此電路如何用作頻率補償之用。（25 分）
相關申論題
一、由一個二極體串接一個電阻器形成一個傳統的半波整流器，如果考慮二極 體的切入電壓，傳統的半波整流器的二極體要換上超級二極體才能消除切 入電壓產生的誤差，請詳細說明換上超級二極體以消除切入電壓產生的誤 差之原理。此外，若以下圖之電路來作為半波整流器，請說明其操作原理， 同時說明此電路和前述包含超級二極體之半波整流器比較，其優點為何？ （25 分）
#305607
二、試以迴路分析法求解下面運算放大器電路的輸入阻抗。（25 分）
#305608
三、試設計一個沒有實功率耗損的阻抗轉換器，將一個阻抗為 5000∠ − 60° Ω 轉換為1160∠ 30° Ω 。（25 分）
#305609
四、如圖 4 所示之兩顆 N 型金氧半（metal-oxide-semiconductor, MOS）電晶體 Q1、Q2，已知其設計參數均為：臨界電壓 Vt = 1 V、製程互導參數 μnCox =120 μA/V2、通道長度調變效應 λ = 0、通道長度 L = 1 μm。若設定 I = 120μA、 V1 = 3.5 V、V2 = 1.5 V、VDD = 5 V，試求工作在飽和區之兩電晶體的閘極 寬度，以及電阻值 R 的大小。（25 分）
#570031
三、如圖 3 所示之 pnp 型雙載子接面電晶體（bipolar junction transistor）電路， 已知其共射極電流增益（common-emitter current gain）β = 50、射基接面 電壓 VEB = 0.7 V、基極電阻器 RB = 100 kΩ，為使集極電壓為 VC = 5 V， 試求集極電阻器 RC 之值與此時的基集接面電壓。若換成一顆β = 150 之 新電晶體，則該新電晶體的基集接面電壓變為多少？新電晶體變成在那 一區工作？（25 分）
#570030
二、如圖 2 所示之雙埠網路（two-port network），已知 VS = 50∠0℃ Vrms、 ZS = 10 Ω、z11 = 40 Ω、z12 = 60Ω、z21 = 80Ω、z22 = 100Ω、ZL = 5 + j4 Ω， 試求負載 ZL 的平均吸收功率。（25 分）
#570029
一、如圖 1 所示之理想運算放大器（ideal operational amplifier）電路，試求： 等三個轉移函數（transfer functions）之數學表示式。（25 分）
#570028
五、如下為雙埠網路電路圖，混合參數（hybrid parameters）之數值如圖所示， 試求電壓增益= ？
#551327
四、如下電路圖 ， 在 t 0 期間 ， 開關位於A 位置 、 且電路已達穩態 （steady state）。在 t = 0 瞬間，開關由 A 位置切換至 B 位置；且在 t > 0 期間，開關維持於 B 位置。試求 RLC 並聯電路之電感電流 i (t 0) 表示式？
#551326
(二)電壓= ?
#551325
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