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申論題

試卷：100年 - 100 高等考試_三級_電子工程：半導體工程#39997
科目：半導體工程
年份：100年
排序：0

申論題資訊

試卷：100年 - 100 高等考試_三級_電子工程：半導體工程#39997
科目：半導體工程
年份：100年
排序：0

申論題內容

六、請繪出n通道MOSFET之典型電流（ID）-電壓（VDS, VGS）特性圖，並說明其原理。（ 15 分）