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半導體工程
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100年 - 100 高等考試_三級_電子工程：半導體工程#39997
> 申論題
六、請繪出n通道MOSFET之典型電流（I
D
）-電壓（V
DS
, V
GS
）特性圖，並說明其原理。（ 15 分）
相關申論題
一、請繪出典型之導體、半導體、絕緣體之能帶圖（energy band diagram），並簡述該能 帶圖所代表之意義。（15 分）
#121490
二、在一均勻半導體材料中，其本質載子濃度（intrinsic carrier concentration）為ni、 本質費米能階（intrinsic Fermi energy）為Ei、費米能階（Fermi energy）為EF，當 絕對溫度為T，而Boltzmann常數為kB時，其自由電子（electron）濃度n為何？電洞 （hole）濃度p為何？若此半導體材料為n型，其摻雜濃度ND為 1016/cm3而ni = 1.45 × 1010/cm3時，求電洞之濃度。（10 分）
#121491
三、在一半導體材料中，請寫出電子電流流動方程式（current flow equation），並定義 各參數及說明方程式中各項之物理意義。（15 分）
#121492
四、在一半導體材料中，請寫出電洞之連續方程式（continuity equation），並定義各參 數及說明方程式中各項之物理意義。（10 分）
#121493
五、一 p-n 接面二極體（junction diode）在交換應用（switching application）之順向 （forward）與逆向偏壓（reverse bias）切換時具電容（capacitance）效應，請說明 順向與逆向偏壓時之電容效應及物理意義。（10 分）
#121494
七、請列出兩種在矽（Si）基片上成長氧化層的方法，並簡述其成長原理及兩者成長膜 之性質差異。（15 分）
#121496
八、請列出兩種在半導體基片上摻雜雜質（impurity）的方法，並簡述其原理及兩者摻 雜之性質差異。（10 分）
#121497
五、隨著技術節點持續微縮，曝光技術亦不斷演進。請說明自曝光波長λ=248 nm KrF 以降，至鰭式場效電晶體（FinFET）時代，如何運用各種 不同的曝光技術與圖案化方法來實現更微小的電路圖案。（20 分）
#560352
(二)如何從汲/源極設計的角度來抑制短通道效應？並說明此方法可能導致的副作用。（12 分）
#560351
(一)請說明為何金氧半場效電晶體（MOSFET）的長通道與短通道元件之臨界電壓會有所不同。（8 分）
#560350
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