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100年 - 100 公務升官等考試_薦任_電力工程、電子工程、電信工程:電子學#45293
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申論題
試卷:100年 - 100 公務升官等考試_薦任_電力工程、電子工程、電信工程:電子學#45293
科目:電子學
年份:100年
排序:0
申論題資訊
試卷:
100年 - 100 公務升官等考試_薦任_電力工程、電子工程、電信工程:電子學#45293
科目:
電子學
年份:
100年
排序:
0
題組內容
三、今有一電路如圖(三甲)所示,V
DD
=V
SS
=10 V、I=0.5 mA、R
G
=4.7 MΩ、R
D
=15 kΩ、 R
L
=30 kΩ;其中C
C1
、C
C2
、C
S
為耦合電容。已知此MOSFET的參數如下:V
t
=1.5 V、k
n
= 1.0 mA/V
2
、通道長度調變效應(channel length modulation effect)|V
A
|=75 V。
申論題內容
⑵試計算電晶體中小信號等效電路的gm、rO等參數。(5 分)