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申論題資訊

試卷:100年 - 100 公務升官等考試_薦任_電力工程、電子工程、電信工程:電子學#45293
科目:電子學
年份:100年
排序:0

題組內容

三、今有一電路如圖(三甲)所示,VDD=VSS=10 V、I=0.5 mA、RG=4.7 MΩ、RD=15 kΩ、 RL=30 kΩ;其中CC1、CC2、CS為耦合電容。已知此MOSFET的參數如下:Vt =1.5 V、kn= 1.0 mA/V2、通道長度調變效應(channel length modulation effect)|VA|=75 V。

申論題內容

⑶試利用 MOSFET 小信號的 T model 等效電路模型畫出此放大電路包括信號源與負 載在內的小信號等效電路。(5 分)