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101年 - 101 地方政府特種考試_三等_電子工程：半導體工程#39546
科目：
半導體工程 |
年份：
101年 |
選擇題數：
0 |
申論題數：
11
試卷資訊
所屬科目：
半導體工程
選擇題 (0)
申論題 (11)
⑴請繪出於a
3
單位立方體中之砷原子空間分布示意圖，並求出於該單位立方體中之 砷原子等效數目為多少個？（其中等效數目是指歸屬於單一立方體中之原子數 目總和，若原子為多個立方體所共用則需等比例計算）。（10 分）
⑵請繪出在上述立方體中於（110）平面上之鎵原子平面空間分布示意圖，並求出 於該平面上之鎵原子等效數目為多少個？（10 分）
⑴電子濃度 n
o
=？（7 分）
⑵電洞濃度 p
o
=？（7 分）
⑶費米能階（Fermi energy level）EF相對本質費米能階（intrinsic Fermi energy level） E
Fi
之位置為 E
F
- E
Fi
=？eV（6 分）
【已刪除】 ⑴當加上順偏壓 0.5 V時，在n區之電洞少數載子濃度分布示意圖如下圖所示，請 求出於空乏區（depletion region）邊緣xn處之電洞擴散電流密度J
p
(x
n
) =？
（10 分）
⑵當加上逆偏壓使得x
n
處之電洞濃度為零，請繪出此時之電洞少數載子濃度分布 示意圖，並求出在x
n
處由n區流入空乏區之電洞擴散電流密度J
p
(x
n
) =？（10 分）
⑴請說明正光阻與負光阻之特性差異。（10 分）
⑵採用正光阻製程，若要製作一凸起之 I 字型光阻圖案，請繪出所設計光罩圖型示 意圖（以斜線代表暗區，空白代表亮區表達）。（10 分）
⑴請簡述採用離子佈植技術之電晶體製程步驟流程。（10 分）
⑵若要將該電晶體之臨限電壓（threshold voltage）調整為更為負ΔV
th
< 0，請問該 如何達成？（10 分）
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