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半導體工程
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101年 - 101 地方政府特種考試_三等_電子工程：半導體工程#39546
> 申論題
題組內容
五、對於多晶矽閘（poly-Si gate） p 通道金氧半場效電晶體（p-channel MOSFET）：
⑵若要將該電晶體之臨限電壓（threshold voltage）調整為更為負ΔV
th
< 0，請問該 如何達成？（10 分）
相關申論題
⑴請繪出於a3單位立方體中之砷原子空間分布示意圖，並求出於該單位立方體中之 砷原子等效數目為多少個？（其中等效數目是指歸屬於單一立方體中之原子數 目總和，若原子為多個立方體所共用則需等比例計算）。（10 分）
#118141
⑵請繪出在上述立方體中於（110）平面上之鎵原子平面空間分布示意圖，並求出 於該平面上之鎵原子等效數目為多少個？（10 分）
#118142
⑴電子濃度 no =？（7 分）
#118143
⑵電洞濃度 po =？（7 分）
#118144
⑶費米能階（Fermi energy level）EF相對本質費米能階（intrinsic Fermi energy level） EFi之位置為 EF - EFi =？eV（6 分）
#118145
⑵當加上逆偏壓使得xn 處之電洞濃度為零，請繪出此時之電洞少數載子濃度分布 示意圖，並求出在xn處由n區流入空乏區之電洞擴散電流密度Jp(xn) =？（10 分）
#118147
⑴請說明正光阻與負光阻之特性差異。（10 分）
#118148
⑵採用正光阻製程，若要製作一凸起之 I 字型光阻圖案，請繪出所設計光罩圖型示 意圖（以斜線代表暗區，空白代表亮區表達）。（10 分）
#118149
⑴請簡述採用離子佈植技術之電晶體製程步驟流程。（10 分）
#118150
五、隨著技術節點持續微縮，曝光技術亦不斷演進。請說明自曝光波長λ=248 nm KrF 以降，至鰭式場效電晶體（FinFET）時代，如何運用各種 不同的曝光技術與圖案化方法來實現更微小的電路圖案。（20 分）
#560352
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