申論題 - 阿摩線上測驗

申論題資訊

試卷：101年 - 101 地方政府特種考試_三等_電子工程：半導體工程#39546
科目：半導體工程
年份：101年
排序：0

五、對於多晶矽閘（poly-Si gate） p 通道金氧半場效電晶體（p-channel MOSFET）：

⑵若要將該電晶體之臨限電壓（threshold voltage）調整為更為負ΔV_th < 0，請問該如何達成？（10 分）