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申論題

試卷：101年 - 101 地方政府特種考試_三等_電子工程：半導體工程#39546
科目：半導體工程
年份：101年
排序：0

申論題資訊

試卷：101年 - 101 地方政府特種考試_三等_電子工程：半導體工程#39546
科目：半導體工程
年份：101年
排序：0

題組內容

五、對於多晶矽閘（poly-Si gate） p 通道金氧半場效電晶體（p-channel MOSFET）：

申論題內容

⑴請簡述採用離子佈植技術之電晶體製程步驟流程。（10 分）