申論題 - 阿摩線上測驗

申論題資訊

試卷：101年 - 101 地方政府特種考試_三等_電子工程：半導體工程#39546
科目：半導體工程
年份：101年
排序：0

題組內容

二、已知矽晶體在常溫下（300 K）之本質載子濃度（intrinsic carrier concentration）為 n_i = 1.5×10¹⁰ cm^-3，1 kT/q = 0.0259 V，該晶體同時摻雜硼原子（濃度為N_A = 3×10¹⁵ cm^-3）及磷原子(濃度為N_D = 5×10¹⁴ cm^-3)，請求出該晶體於熱平衡時：

申論題內容

⑶費米能階（Fermi energy level）EF相對本質費米能階（intrinsic Fermi energy level） E_Fi之位置為 E_F - E_Fi =？eV（6 分）