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半導體工程
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101年 - 101 地方政府特種考試_三等_電子工程:半導體工程#39546
> 申論題
題組內容
二、已知矽晶體在常溫下(300 K)之本質載子濃度(intrinsic carrier concentration)為 n
i
= 1.5×10
10
cm
-3
,1 kT/q = 0.0259 V,該晶體同時摻雜硼原子(濃度為N
A
= 3×10
15
cm
-3
)及 磷原子(濃度為N
D
= 5×10
14
cm
-3
),請求出該晶體於熱平衡時:
⑴電子濃度 n
o
=?(7 分)
相關申論題
⑴請繪出於a3單位立方體中之砷原子空間分布示意圖,並求出於該單位立方體中之 砷原子等效數目為多少個?(其中等效數目是指歸屬於單一立方體中之原子數 目總和,若原子為多個立方體所共用則需等比例計算)。(10 分)
#118141
⑵請繪出在上述立方體中於(110)平面上之鎵原子平面空間分布示意圖,並求出 於該平面上之鎵原子等效數目為多少個?(10 分)
#118142
⑵電洞濃度 po =?(7 分)
#118144
⑶費米能階(Fermi energy level)EF相對本質費米能階(intrinsic Fermi energy level) EFi之位置為 EF - EFi =?eV(6 分)
#118145
⑵當加上逆偏壓使得xn 處之電洞濃度為零,請繪出此時之電洞少數載子濃度分布 示意圖,並求出在xn處由n區流入空乏區之電洞擴散電流密度Jp(xn) =?(10 分)
#118147
⑴請說明正光阻與負光阻之特性差異。(10 分)
#118148
⑵採用正光阻製程,若要製作一凸起之 I 字型光阻圖案,請繪出所設計光罩圖型示 意圖(以斜線代表暗區,空白代表亮區表達)。(10 分)
#118149
⑴請簡述採用離子佈植技術之電晶體製程步驟流程。(10 分)
#118150
⑵若要將該電晶體之臨限電壓(threshold voltage)調整為更為負ΔVth < 0,請問該 如何達成?(10 分)
#118151
五、隨著技術節點持續微縮,曝光技術亦不斷演進。請說明自曝光波長λ=248 nm KrF 以降,至鰭式場效電晶體(FinFET)時代,如何運用各種 不同的曝光技術與圖案化方法來實現更微小的電路圖案。(20 分)
#560352
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