申論題 - 阿摩線上測驗

申論題資訊

試卷：101年 - 101 地方政府特種考試_三等_電子工程：半導體工程#39546
科目：半導體工程
年份：101年
排序：0

四、在半導體曝光顯影製程中，對於所使用的光阻（photo resist）：

⑴請說明正光阻與負光阻之特性差異。（10 分）