102年 - 102 高等考試_二級_電子工程：積體電路技術#44028

科目：積體電路技術 | 年份：102年 | 選擇題數：0 | 申論題數：8

試卷資訊

所屬科目：積體電路技術

選擇題 (0)

申論題 (8)

一、依據下列的因素：訊號的處理、製程的需求、佈局的考量、設計的方法等，列表說明 數位積體電路與類比積體電路設計的不同。（20 分）
⑴解釋靜電放電（ESD）。（5 分）
⑵列表與說明三種 ESD 的控制方法。（15 分）
⑴如擬完成一 N-井層電阻，試繪出此電阻的剖面圖。（5 分）
⑵如擬完成上述電阻之製作，考量到金屬層（M1）的連線，至少需要幾道光罩 （mask）？請按合理的製程先後次序，依序寫下這些光罩層的名稱與其使用目的。 （15 分）
⑴試繪出此電晶體具有 LDD 結構的剖面圖，並說明使用此結構的理由。（10 分）
⑵為了完成此 LDD 結構的製作，請說明其製作流程的重點。（10 分）
五、在低功率的電路應用，MOS 元件會工作在弱反轉區（Weak inversion）或次臨界區 （Sub-threshold region），說明 MOS 元件在次臨界區工作的特點。（20 分）