五、在低功率的電路應用，MOS 元件會工作在弱反轉區（Weak inversion）或次臨界區（Sub-threshold region），說明 MOS 元件在次臨界區工作的特點。（20 分）

四、假設均使用正光阻製程，欲製作如圖所示之積體電路元件。則在盡可能使用最少光罩數目的情況下，設計所有需要的光罩示意圖（以斜線表示光罩上不透光區域，以空白表示透光區域）。並搭配所設計的光罩，由 p-Si 基底開始，依照製程順序列出所有必要的製程步驟，並加以說明。