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積體電路技術
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102年 - 102 高等考試_二級_電子工程:積體電路技術#44028
> 申論題
題組內容
二、以半導體製造廠之污染控制考量:
⑵列表與說明三種 ESD 的控制方法。(15 分)
相關申論題
一、依據下列的因素:訊號的處理、製程的需求、佈局的考量、設計的方法等,列表說明 數位積體電路與類比積體電路設計的不同。(20 分)
#143586
⑴解釋靜電放電(ESD)。(5 分)
#143587
⑴如擬完成一 N-井層電阻,試繪出此電阻的剖面圖。(5 分)
#143589
⑵如擬完成上述電阻之製作,考量到金屬層(M1)的連線,至少需要幾道光罩 (mask)?請按合理的製程先後次序,依序寫下這些光罩層的名稱與其使用目的。 (15 分)
#143590
⑴試繪出此電晶體具有 LDD 結構的剖面圖,並說明使用此結構的理由。(10 分)
#143591
⑵為了完成此 LDD 結構的製作,請說明其製作流程的重點。(10 分)
#143592
五、在低功率的電路應用,MOS 元件會工作在弱反轉區(Weak inversion)或次臨界區 (Sub-threshold region),說明 MOS 元件在次臨界區工作的特點。(20 分)
#143593
四、假設均使用正光阻製程,欲製作如圖所示之積體電路元件。則在盡可能使用最少光罩數目的情況下,設計所有需要的光罩示意圖(以斜線表示光罩上不透光區域,以空白表示透光區域)。並搭配所設計的光罩,由 p-Si 基底開始,依照製程順序列出所有必要的製程步驟,並加以說明。
#554255
(五)由於清洗製程不完全,導致氧化層產生多餘的不明負電荷
#554254
(四)在製造過程中發生硼穿透(boron penetration)至氧化層中
#554253
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