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105年 - 11600 電力電子 乙級 工作項目 02：零組件認識與使用#38887

科目：技檢◆電力電子-乙級 | 年份：105年 | 選擇題數：67 | 申論題數：0

試卷資訊

所屬科目：技檢◆電力電子-乙級

選擇題 (67)

1. 下列電晶體何者輸入阻抗最大？(A)BJT(B)JFET(C)MOSFET(D)UJT。
2. 電晶體當作線性放大時，需要工作在(A)作用區(B)飽和區(C)截止區(D)崩潰區。
3. 樞密特觸發電路(Schmitt Trigger Circuit)有下列何種功能﹖(A)可將方波轉變成鋸齒波(B)可將方波轉變成正弦波 (C)可將方波轉變成三角波(D)可將正弦波轉變成方波。
4. 常與高速閘流體配合的為下列何種二極體﹖(A)齊納二極體(B)快速二極體(C)DIAC(D)整流二極體。
5. TTL IC 的高輸入準位臨界值為(A)2.0V(B)2.4V(C)3.0V(D)1.6V。
6. 利用金氧半場效電晶體控制導通與否的閘流體稱為(A)SITH(B)RCT(C)MCT(D)GTO。
7. 下列何種元件導通可由信號控制而截止不可控制？(A)GTO(B)IGBT(C)SCR(D)SIT。
8. 具有電流雙向導通功能的元件是(A)TRIAC(B)GTO(C)MOSFET(D)MCT。
9. 兩只電容器的電容量與耐壓分別為 3μF/100V 與 6μF/100V，若將此二電容器串聯，則其所能耐受之最大電壓 為多少伏特？(A)100V(B)125V(C)150V(D)200V。
10. 面積為 A，板間距離為 d 之平板電容器，若將極板面積加倍，板間距離亦加倍，則其電容量為(A)原值之 1/2 倍(B)與原值相同(C)原值之 2 倍(D)原值之 4 倍。
11. 當電路 dv/dt 過大時，易使閘流體(A)提早截止(B)延遲導通(C)不受影響(D)打穿。
12. 下列功率元件，何者須加連續驅動信號才能持續導通？(A)GTO(B)TRIAC(C)IGBT(D)SCR。
13. 變阻器(Varistor)之電阻值係與(A)所加電壓呈反比(B)周圍溫度呈反比(C)所加電壓呈正比(D)周圍溫度呈正比。
14. (0.1μF+120Ω，250V)係下列何種元件的規格：(A)EMI 過濾器(B)突波吸收器(C)緩震器(Snubber)(D)變阻器。
15. 下列電容器中，何者之介電係數為最大？(A)電解電容(B)鉭質電容(C)膠質電容(D)金屬膜電容。
16. 下列何者不是轉速偵測用之感測器？(A)近接開關(B)霍耳元件(C)編碼器(D)應變計。
17. 在頻率超過 100MHz 以上之電路中，下列何者較不適合作為高頻電容器使用？(A)陶質電容器(B)雲母電容器(C) 聚苯乙烯電容器(D)鉭質電容器。
18. MOSFET 由於輸入阻抗高，受靜電打穿其絕緣層(SiO2)之可能性比 JFET 來得(A)大(B)小(C)相等(D)不一定。
19. 在交換式定電壓電源電路中，通常以下列何者來抑制湧入電流較理想？(A)電容器(B)電感器(C)功率熱阻器(D)固 態繼電器。
20. 高於 10pF 以上之電容器通常以英文字母代表容許誤差，英文字母 K 的容許誤差為多少？(A)±1％(B)±2％(C)±5 ％(D)±10％。
21. 下列何種電容器較適合用於溫度補償？(A)低介電係數陶瓷電容(B)鉭質電容器(C)電解電容器(D)紙質電容器。
22. 下列何種突波吸收零件是隨外加電壓而電阻值會變化之具有電壓依存性的電阻器，且當電壓超過其額定值 時，電阻值會急速下降？(A)以 C"(電容)"、R"(電阻)"作成的吸收器(B)以 C"(電容)"、R"(電阻)"、D"(二極體)"作 成的箝位電路(C)以矽 PN 接合之零件(D)變阻器。 4
23. (本題刪題)下列何種繼電器在繼電器之線圈通電接點動作後，切斷電流卻仍能保持接點狀態？(A)閂鎖繼電器 (B)SSR(C)磁簧繼電器(Reed Relay)(D)小型功率繼電器。
24. 下列何種材質之鐵心較適用於高頻的交換式電源中？(A)方向性矽鋼片(B)無方向矽鋼片(C)鐵氧體(Ferrite)(D)高 導磁合金(Permalloy)。
25. 下列何種觸發元件雙向皆可導通，亦即不論外加電壓的極性，只要外加電壓大於觸發電壓 就導通，一旦導 通後，除了外加電壓降為零，才能回復不導通狀況，且常與 TRIAC 組成相位控制電路？(A)Schottky Diode(B)DI AC(C)Tunnel Diode(D)UJT。
26. 下列何種元件其內電阻會隨光照強度不同而改變，且通常內阻與光照強度呈反比？(A)LED(B)LCD(C)光敏電阻 器(CdS)(D)光電晶體。
27. 下列何種元件較不適合作為閘流體觸發振盪電路？(A)Zener Diode(B)PUT(C)UJT(D)SCS。
28. 由三價金屬導體與 N 型半導體構成之二極體具有交換時間快與低雜訊的優點，除應用於高頻電路外，也被應 用在低電壓／大電流的電源供給器及交流／直流轉換器電路中之二極體為(A)透納二極體(Tunnel Diode)(B)變容 二極體(Varactor)(C)齊納二極體(Zener Diode)(D)肖特基二極體(Schottky Diode)。
29. 因閃電、電源故障或電感性負載切換時會在電源電壓上造成瞬間急降波、突波或其他暫態現象所造成裝置無 法正常工作，通常以動作如二個背對背的齊納二極體(Zener Diode)來作過電壓保護之二極體元件為(A)變容二極 體(Varactor)(B)變阻二極體(Varistor)(C)透納二極體(Tunnel Diode)(D)PIN 二極體。
30. EMI 對策通常是由 L 和 C 組成的(A)高通濾波器(B)帶通濾波器(C)低通濾波器(D)箝位器。
31. 加於 SCR 閘極之觸發脈波信號愈寬，則閘、陰極接合面所生之熱量將(A)不變(B)增加(C)減少(D)無關於觸發信號 時間。
32. 下列何者可直接作為交流電壓控制器元件，以控制交流功率？(A)FET(B)UJT(C)PUT(D)TRIAC。
33. 用 UJT 作為脈波產生器元件時，必須令其工作在那一區？(A)飽和區(B)截止區(C)負電阻區(D)正電阻區。
34. 下列何種元件不具有負電阻區特性？(A)DIAC(B)FET(C)PUT(D)UJT。
35. 有關 GTO 之敘述，下列何者錯誤？(A)可由閘極信號控制其導通或截止(B)觸發電流較 SCR 大(C)閘極加一負電 壓可令 GTO 截止(D)閘極加一負電壓可令 GTO 導通。
36. 關於金屬皮膜電阻之敘述，下列何者錯誤？(A)精密度較差(B)體積較小(C)雜音較小(D)穩定性較高。
37. 變壓器之渦流損失與矽鋼片之厚度成(A)正比(B)反比(C)平方正比(D)平方反比。
38. 下列各功率元件截止時，何者不具雙向耐壓特性？(A)絕緣閘雙極性電晶體(IGBT)(B)閘極截止閘流體(GTO)(C)矽 控整流器(SCR)(D)金氧半場效電晶體(MOSFET)。
39. 有關電力電子所使用變壓器的敘述，下列何者有誤？(A)變壓器是輸入交流電壓，輸出直流電壓(B)輸入交流電 壓，經變壓器升降壓後，經由整流器，輸出直流電壓(C)變壓器主要由兩個繞組和這兩個繞組的共同磁路構成 (D)將交流電壓變換為同頻率不同電壓之非旋轉式電機。
40. 有關二極體的敘述，下列何者有誤？(A)透納二極體具有正電阻的特性(B)蕭特基(Schottky)二極體主要應用於高 頻和高速電路中(C)變容二極體之電容大小係由外加電壓大小控制(D)發光二極體，當它流過電流足夠大時，對 外發出可見光或不可見光。
41. 下列有關蕭特基二極體(Schottky diode)之敘述，何者不正確？(A)單載子元件(B)切換速度快，適用 50kHz 以上(C) 耐反向偏壓，可高達 1kV(D)導通電壓低，約 0.3V。
42. 測量電感值可使用下列何種儀器？(A)電壓表(B)示波器(C)電源供應器(D)LCR 表。
43. 16 腳 DIP 封裝之 IC 每邊有幾隻腳？(A)2(B)4(C)8(D)16。
44. 下列何者不是 MOSFET 的腳位名稱？(A)射極(emitter)(B)閘極(gate)(C)汲極(drain)(D)源極(source)。
45. 若有一個五色電阻器的色碼排列是紅棕棕紅棕，則其電阻值為多少？(A)21.1kΩ 誤差 1%(B)21.1kΩ 誤差 5%(C)2 1120Ω 誤差 1%(D)21120Ω 誤差 0.1%。
46. 電阻的功率在 2W 以上時(含 2W)，在作零件安裝時，下列何者敘述正確？(A)可貼平在 PCB 板上(B)須與 PCB 板有約 5mm 的高度(C)依 PCB 板的材質決定(D)依電阻材質決定。
47. 蕭特基二極體(Schottky diode)的符號為(A) (B) (C) (D) 。
48. 下列元件何者不適用於高頻？(A)透納二極體(Tunnel diode)(B)蕭特基二極體(Schottky diode)(C)變容二極體(Varact 5 or diode)(D)齊納二極體(Zener diode)。
49. 以下哪一種電容的高頻特性最好?(A)電解電容(B)陶瓷電容(C)鉭質電容(D)紙質電容。
50. 如欲同時使用多個等值之電阻時，應採用以下何者較佳?(A)色碼電阻器(B)排阻(C)金屬膜電阻器(D)碳膜電阻。
51. 以下何種電阻器可耐高溫並能通過大電流？(A)水泥電阻(B)碳膜電阻(C)金屬膜電阻(D)排阻。
52. 電容 103K 代表其電容值為(A)10μF(B)1μF(C)0.1μF(D)0.01μF。
53. 若某電阻器標示為 2.5Ω，10W，則其耐電流為多少？(A)1A(B)2A(C)3A(D)4A。
54. 某電容器的間接標示法為 104M，此電容的誤差為多少？(A)±5%(B)±10%(C)±20%(D)±30%。
55. 編號 1N4001 表示何種電路元件?(A)二極體(B)電阻器(C)電容器(D)電晶體。
56. kW-H(千瓦-小時)表示何種單位?(A)電度(電能)(B)功率(C)電壓(D)電流。
57. 示波器中 TIME/DIV 之旋鈕，可作為調整波形之(A)亮度(B)寬度(C)高度(D)線條粗細。
58. TTL 之積體電路一般使用電壓為(A)5V(B)10V(C)12V(D)15V。
59. 有關發光二極體(LED)的使用，下列敘述何者正確?(A)順向偏壓時 LED 不會發光(B)順向偏壓時 LED 會發光(C)逆 向偏壓時 LED 會發光(D)LED 在使用時可用並聯電阻作限流用。
60. 有關有極性之電解質電容器的使用，下列敘述何者正確?(A)正負極不得反接(B)正負極可以反接(C)使用時與耐壓 無關(D)電容器標示 WV 表示工作電流之意。
複選題
61. 下列哪些材質的電容較適合應用於高頻(1MHz 以上)濾波電路？(A)電解電容(B)陶瓷電容(C)雲母電容(D)鉭質電 容。
複選題
62. 下列哪些物質為國際(Restriction of Hazardous Substances, RoHS)環保標準所禁用的有害物質？(A)鉛與鎘(B)汞與 六價鉻(C)多溴二苯醚與多溴聯苯(D)磷與銻。
複選題
63. 下列哪些功率開關為電壓控制元件？(A)MOSFET(B)IGBT(C)IGCT(D)GTO。
複選題
64. 下列哪些因素會影響 MOSFET 的切換損失？(A)切換頻率(B)汲源極電壓(C)導通電流(D)導通責任週期。
複選題
65. 下列哪些因素會影響電容器的漣波電壓？(A)電容量(B)電流交流成分(C)等效串聯電阻(D)電容器耐壓。
複選題
66. 一般電壓控制型閘極驅動器的功能為？(A)提高驅動電壓(B)提高瞬時驅動電流(C)提高切換頻率(D)功率開關過溫 保護。
複選題
67. 下列哪些選項為高頻鐵氧體磁芯(ferrite core)的優點？(A)低鐵芯損失(B)高導磁率(C)低飽和磁通值(D)材質易碎。

申論題 (0)