試題詳解

試卷：105年 - 11600 電力電子乙級工作項目 02：零組件認識與使用#38887 | 科目：技檢◆電力電子-乙級

試卷資訊

試卷名稱：105年 - 11600 電力電子乙級工作項目 02：零組件認識與使用#38887

年份：105年

科目：技檢◆電力電子-乙級

18. MOSFET 由於輸入阻抗高，受靜電打穿其絕緣層(SiO2)之可能性比 JFET 來得
(A)大
(B)小
(C)相等
(D)不一定。

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