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積體電路技術
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109年 - 109 高等考試_二級_電子工程：積體電路技術#91527
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題組內容
四、請詳細回答下列各小題：（每小題8分，共48分）
(一) FinFET 之結構與優勢
其他申論題
沒有 【段考】國小數學 權限，請先開通．
#374928
一、請畫出一個由三個 NMOS 電晶體與兩個 PMOS 電晶體所組成的 CMOS 差 動放大器（differential amplifier）的電路圖，並說明其工作原理。 （20分）
#374929
二、在 VLSI 製程中為提高所製造的積體電路品質可以使用 strained silicon 的技術，試說明何謂 strained silicon？如何製作 strained silicon 元件？相較於正常製程，strained silicon 製程的元件有何優勢？（20分）
#374930
三、在現代 CMOS 半導體製程中，金屬連接線係用於連接各電晶體的端點。 由於連接線複雜，這些金屬連接線的層數甚至已經高於十層。若將這些不同層的金屬連接線區分為較高層與較低層兩類，試說明這兩類金屬連接線之各自用途，其厚度之差異及原因。（12分）
#374931
(二)光罩與曝光程序
#374933
(三) Body Effect 之成因與影響
#374934
(四) DRAM and SRAM 之各自單一位元電路圖與優劣比較
#374935
(五) CMOS 晶片的功率消耗分類與其各自成因
#374936
(六) MOS 電晶體於線性區及飽和區之特性
#374937
(一) revealed preference survey 與 stated preference survey。（6分）
#374938
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