阿摩線上測驗
登入
首頁
>
積體電路技術
>
109年 - 109 高等考試_二級_電子工程：積體電路技術#91527
>
題組內容
四、請詳細回答下列各小題：（每小題8分，共48分）
(四) DRAM and SRAM 之各自單一位元電路圖與優劣比較
其他申論題
三、在現代 CMOS 半導體製程中，金屬連接線係用於連接各電晶體的端點。 由於連接線複雜，這些金屬連接線的層數甚至已經高於十層。若將這些不同層的金屬連接線區分為較高層與較低層兩類，試說明這兩類金屬連接線之各自用途，其厚度之差異及原因。（12分）
#374931
(一) FinFET 之結構與優勢
#374932
(二)光罩與曝光程序
#374933
(三) Body Effect 之成因與影響
#374934
(五) CMOS 晶片的功率消耗分類與其各自成因
#374936
(六) MOS 電晶體於線性區及飽和區之特性
#374937
(一) revealed preference survey 與 stated preference survey。（6分）
#374938
(二) aggregate travel demand analysis 與 disaggregate travel demand analysis。 （6分）
#374939
(三) transport system management 與 transport demand management。（6分）
#374940
(四) demand responsive transit services 與 mobility as a service。（7分）
#374941
阿摩線上測驗
登入
阿摩線上測驗
登入