一、請畫出一個由三個 NMOS 電晶體與兩個 PMOS 電晶體所組成的 CMOS 差動放大器（differential amplifier）的電路圖，並說明其工作原理。（20分）

四、假設均使用正光阻製程，欲製作如圖所示之積體電路元件。則在盡可能使用最少光罩數目的情況下，設計所有需要的光罩示意圖（以斜線表示光罩上不透光區域，以空白表示透光區域）。並搭配所設計的光罩，由 p-Si 基底開始，依照製程順序列出所有必要的製程步驟，並加以說明。