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半導體工程
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94年 - 94 地方政府特種考試_三等_電子工程:半導體工程#40578
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題組內容
九、在標準狀況(壓力為 1 atm,溫度為 0℃)下的電漿蝕刻過程中,反應氣體以 10 c.c./秒 的速率流入 100 公升的反應腔室中,產生的穩態壓力為 0.2 托(torr),
(二)計算反應腔室中,一個氣體分子的殘餘時間(residence time)?(10 分)
相關申論題
一、請說明在光微影蝕刻術(optical lithography)中,紫外光所扮演的角色。 (5分)
#125232
二、在什麼情況下,我們使用 r.f.濺鍍而不使用 d.c.濺鍍?(5 分)
#125233
三、在什麼情況下,我們在矽元件中使用氮化矽(silicon nitride)作絕緣層而不使用氧化 矽(silicon dioxide)?(5 分)
#125234
四、請說明為什麼半導體在離子佈植後,熱處理需要使用比較高的溫度來進行?(5 分)
#125235
五、通常在離子佈植過程中,我們使用光阻來作為阻止離子佈植的區域;而在擴散過程 中卻不使用光阻來作為阻止摻雜雜質擴散的區域。為什麼?(10 分)
#125236
六、以化學氣相沉積法(CVD)成長的氧化物及氮化物分別稱為 SiO2 及 Si3N4,而以電漿 加強式化學氣相沉積法(PECVD)成長的氧化物及氮化物分別稱為 SiOx 及 SiNx,為 什麼?(10 分)
#125237
(一)請說明它們形成歐姆接觸的機制。 (10 分)
#125238
(二)在接觸電 阻的量測技 術, 我們常 使用 一種 稱為傳 輸線 方法( transmission line ,請描述此方法如何量測接觸電阻。 method) (10 分)
#125239
(一) 請說明這兩種量測方法的基本原理。(10 分)
#125240
(二)請說明這兩種方法量測出來的濃度,何者會較高?為什麼?(10 分)
#125241
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