99年 - 99 專利商標審查特種考試_二等_電子工程：積體電路製程技術#46998

科目：積體電路技術 | 年份：99年 | 選擇題數：0 | 申論題數：11

試卷資訊

所屬科目：積體電路技術

選擇題 (0)

申論題 (11)

⑴描述並繪出微影（Lithography）技術中，使用正光阻（Positive Photoresist）及負光阻（Negative Photoresist）於曝光、顯影蝕刻後薄膜形成之圖案，假設結構層為：光阻（Photoresist）/薄膜（Film）/基板（Substrate）。

⑵同時比較兩種光阻在解析度（Resolution）、對比（Contrast）、線幅（Line Width）之結果。

⑶並説明在多少相對濕度環境下會有較好的黏附（Adhesion）。（20 分）

⑴敘述鎢金屬化學氣相沉積（Chemical Vapor Deposition, CVD-W）技術在極大型積體電路（ULSI）應用上，氣相預清潔（Vapor Phase Precleaning）技術在沉積速率（Deposition Rate）、選擇率（Selectivity）、矽耗（Si Consumption）、黏附（Adhesion）之影響特性。

⑵並説明上述結果與傳統 RCA 清潔（RCA Cleaning）技術之比較。（ 20 分）

⑴説明電子迴旋共振化學氣相沉積（Electron Cyclotron Resonance, ECR-CVD）技術之優點。

⑵描述ECR二氧化矽（SiO2 ）之氧化機構（Oxidation Mechanism）。

⑶並説明與高溫爐乾/濕式（Furnace Dry/Wet）氧化機構之差異。（ 20 分）

四、討論從半導體元件物理觀點，如何製造一個好的歐姆接觸（Ohmic Contact）？（ 20 分）

⑴説明在砷化鎵（GaAs）中，什麼是點缺陷（Point Defect）？

⑵為什麼可以容易製造半絕緣砷化鎵材料？（ 20 分）