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積體電路技術
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99年 - 99 專利商標審查特種考試_二等_電子工程：積體電路製程技術#46998
> 申論題
題組內容
五、
⑵為什麼可以容易製 造半絕緣砷化鎵材料？（ 20 分）
相關申論題
⑴描述並繪出微影（Lithography）技術中，使用正光阻（Positive Photoresist）及負 光阻（Negative Photoresist）於曝光、顯影蝕刻後薄膜形成之圖案，假設結構層為： 光阻（Photoresist）/薄膜（Film）/基板（Substrate）。
#161921
⑵同時比較兩種光阻在解析 度（Resolution）、對比（Contrast）、線幅（Line Width）之結果。
#161922
⑶並説明在多少 相對濕度環境下會有較好的黏附（Adhesion）。（20 分）
#161923
⑴敘述鎢金屬化學氣相沉積（Chemical Vapor Deposition, CVD-W）技術在極大型 積體電路 （ULSI） 應用上，氣相預清潔（Vapor Phase Precleaning）技術在沉積 速率（Deposition Rate）、選擇率（Selectivity）、矽耗（Si Consumption）、黏附 （Adhesion）之影響特性。
#161924
⑵並説明上述結果與傳統 RCA 清潔（RCA Cleaning） 技術之比較。（ 20 分）
#161925
⑴説明電子迴旋共振化學氣相沉積（Electron Cyclotron Resonance, ECR-CVD）技 術之優點。
#161926
⑵描述ECR二氧化矽（SiO2 ）之氧化機構（Oxidation Mechanism）。
#161927
⑶並説明與高溫爐乾/濕式（Furnace Dry/Wet）氧化機構之差異。（ 20 分）
#161928
四、討論從半導體元件物理觀點，如何製造一個好的歐姆接觸（Ohmic Contact）？ （ 20 分）
#161929
⑴説明在砷化鎵（GaAs）中，什麼是點缺陷（Point Defect）？
#161930
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