10.下列有關半導體材料與製程的敘述，何者有誤？ (A)砷化鎵(gallium arsenide)化合物半導體具有發光能力，可以製造雷射及發光二極體的元件 (B)矽是一種優良絕緣體，可用做絕緣與保護目的之用 (C)薄膜製作是將部分未被光阻保護的氮化矽層加以除去並留下所需的線路圖 (D)蝕刻(Etching)若採用濕式技術，此法具有等向性(isotropic)，若採用乾式蝕刻具非等向性向性。S