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國營事業◆1.電路學 2.電子學
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112年 - 112 經濟部所屬事業機構_新進職員甄試試題_電機、儀電:1.電路學 2.電子學#116960
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26. 霍爾效應(Hall Effect)使用在半導體測試中,主要用來決定下列何者?
(A)半導體內電流
(B)半導體型式(n或p)
(C)半導體內磁場
(D)半導體溫度
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統計:
A(12), B(67), C(6), D(4), E(0) #3160055
詳解 (共 1 筆)
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B1 · 2025/11/05
#7026777
題目解析 霍爾效應是一種物理現象,當導體...
(共 977 字,隱藏中)
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私人筆記 (共 1 筆)
邵恆
2024/08/20
私人筆記#6337970
未解鎖
國營事業◆1.電路學 2.電子學 ...
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相關試題
35. 有關 MOSFET 之敘述,下述何者有誤? (A)增強型 n 通道 MOSFET 之臨界電壓值為正 (B)增強型 p 通道 MOSFET 之VGS若接正電壓,則無法建立通道 (C)空乏型 n 通道 MOSFET 之VGS可接正電壓或負電壓 (D)空乏型 MOSFET 本身結構中並無預設通道存在
#3160064
36. 有關 JFET 自給偏壓(Self-Bias)電路,若希望工作點(Operating Point)設定在轉換特性曲線的中點,意即 ID = IDSS,下列哪一種方式可達成? (A) VGS = VGS(off) ⁄ 2 (B) VD = VDD ⁄ 2 (C) VGS = VGS(off) ⁄ 3.4 (D) VD = VDD ⁄ 3.4
#3160065
37. 有一空乏型 n 通道 MOSFET,Kn ' W L = 2 mA V2 ⁄ ⁄ ,Vt = -3 V,其源極與閘極均接地。下列敘述何者有誤?(忽略通道長度調變效應) (A)當VD = 0.1 V,操作區為三極管區(Triode Region),ID = 0.59 mA (B)當V D = 1 V,操作區為三極管區(Triode Region),ID = 5 mA (C)當VD = 3 V,操作區為飽和區(Saturation Region),ID = 9 mA (D)當VD = 5 V,操作區為飽和區(Saturation Region),ID = 10 mA
#3160066
38. 有關 MOS 電流鏡和 BJT 電流鏡的比較,下列敘述何者有誤?(A) MOS 電流鏡無 β 效應(有限 β 值效應) (B)通常 MOS 電流鏡的VOmin = VGS − Vt = VOV比 BJT 電流鏡的VOmin = VCEsat大 (C) MOS 電流鏡 ro 的影響比 BJT 電流鏡小(有限 ro 值效應) (D) Wilson 電流鏡的電路可降低 BJT 電流鏡有限 β 值效應及增加輸出電阻值
#3160067
39. 如右圖所示之主動負載 CE 放大器,定電流源 I 由一 PNP 電晶體組成。令 I = 0.2 mA,兩電晶體之 |VA| = 40 V,β = 200,VT = 25 mV,下列敘述何者有誤?(A) Ri = 25.13 KΩ (B) ro = 400 KΩ (C) gm = 8 mA / V (D) 電壓增益 Av 為 -800
#3160068
40. 如右圖所示之電流轉換器電路圖,所有電晶體 β = 80,假設二極體與電晶體飽和電流 IS 相同,VT = 25 mV,n = 1,VS = 2 V ,R = 1 KΩ,請問 Io 為何?(A) 1.93 mA (B) 1.95 mA (C) 1.97 mA (D) 1.99 mA
#3160069
41. 有一個一階運算放大器,其直流增益為 106 ,且有一極點於 10 rad/s 時,零點為無窮大,若使用電阻將其組成非反向放大器,直流增益為 100,請問非反向放大器之極點為何? (A) 10 rad/s (B) 102 rad/s (C) 105 rad/s (D) 106 rad/s
#3160070
42. 請問下列多級放大器耦合類別中,最佳低頻響應為何? (A)電阻電容耦合 (B)直接耦合 (C)變壓器耦合 (D)電感耦合
#3160071
43. 如右圖所示之簡單音頻放大器電路圖,若要得到較低的轉角頻 率 fL = 50 Hz,請問 C 耦合電容值為何? (A) 0.0191 μF (B) 0.0477 μF (C) 0.191 μF (D) 0.477 μF
#3160072
44. 有關負回授與非負回授運算放大器之比較,下列敘述何者有誤? (A)負回授運算放大器輸入與輸出電壓呈現 180°反相 (B)負回授運算放大器可提高閉迴路電壓增益 (C)負回授運算放大器可依需求調整電路以達到控制輸入、輸出阻抗之目的 (D)負回授運算放大器可得到較大的頻寬
#3160073
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