34. 有關如何有效降低增強型 NMOS 電晶體的 VT (Threshold Voltage)值，下列敘述何者正確？
(A)降低基體(Substrate)的濃度(NA)
(B)降低源極(Source)區域的濃度(ND)
(C)降低汲極(Drain)區域的濃度(ND)
(D)降低閘極(Gate)區域的ɛox/tox(ɛox：矽氧化層的電容介電係數；tox：矽氧化層的厚度)

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統計： A(50), B(5), C(10), D(21), E(0) #3160063

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#7026768
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