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試題詳解

試卷:112年 - 112 經濟部所屬事業機構_新進職員甄試試題_電機、儀電:1.電路學 2.電子學#116960 | 科目:國營事業◆1.電路學 2.電子學

試卷資訊

試卷名稱:112年 - 112 經濟部所屬事業機構_新進職員甄試試題_電機、儀電:1.電路學 2.電子學#116960

年份:112年

科目:國營事業◆1.電路學 2.電子學

34. 有關如何有效降低增強型 NMOS 電晶體的 VT (Threshold Voltage)值,下列敘述何者正確?
(A)降低基體(Substrate)的濃度(NA)
(B)降低源極(Source)區域的濃度(ND)
(C)降低汲極(Drain)區域的濃度(ND)
(D)降低閘極(Gate)區域的ɛox/toxox:矽氧化層的電容介電係數;tox:矽氧化層的厚度)

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