5. 如下圖電路， I1 以及整個電路總共消耗的實功率為何？ (A) I1 = 20∠53.1° A，P = 4500W (B)I1 = 20∠-53.1° A，P = 2000W (C)I1= 20∠-53.1° A，P = 4500W (D) I1= 20∠-53.1° A，P = 6500W

10. 有關雙載子接面電晶體 (BJT)之敘述，下列何者錯誤？ (A)若要減緩歐力效應(Early Effect)並提高歐力電壓( VA )，元件設計上通常會使基極摻雜濃度( NB)大於集極摻雜濃度( NC)，讓集基接面( JCB)逆向偏壓時的空乏區主要往集極端延伸。 (B)當電晶體進入深度飽和區(Deep Saturation)時，由於集基接面( JCB)與射基接面( JEB)皆處於順向偏壓，基極區內將累積大量超額少數載子，導致穩態時的射極電流必大於集極與基極電流之總和(即 (IE>IB+ IC)以維持電荷平衡。 (C)若將 NPN 電晶體之射極與集極反接並操作於逆向主動區(Reverse-Active Mode)，由於原集極區的摻雜濃度較低，導致載子的射入效率 (Injection Efficiency) 極差，其共射極電流增益βR會遠小於正向主動區的 βF。 (D)為提升 BJT 的高頻切換響應，通常會盡可能縮減冶金基極寬度(Metallurgical base width)，但此舉會增加貫穿效應(Punch-through breakdown)發生的機率，使得基極與集極間的逆向崩潰電壓BVCBO顯著降低。

5. 如下圖電路， I₁以及整個電路總共消耗的實功率為何？

(A) I₁= 20∠53.1° A，P = 4500W
(B)I₁ = 20∠-53.1° A，P = 2000W
(C)I₁= 20∠-53.1° A，P = 4500W
(D) I₁= 20∠-53.1° A，P = 6500W

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