6. 如下圖v(t)交流週期電壓，試問其有效值為何？

(A)4V
(B)5V
(C)6V
(D)8V

1. 如下圖電路，I２ = A 安培，VA = B 伏特，則A+B為何？ (A)83 (B)67 (C)-67 (D)-83

2. 正電荷順電場方向移動，則位能及電位會如何變化？ (A)位能增加，電位增加 (B)位能增加，電位減少 (C)位能降低，電位增加 (D)位能降低，電位減少

3. 如下圖電路，戴維寧等效電壓ETH = A伏特，等效電阻RTH = B歐姆。Iab = C安培，則A + B + C 為何？ (A)42 (B)44 (C)46 (D)48

4. 兩耦合線圈 L1 = 4H、 L2 = 9H，已知其耦合係數 k = 0.5。若兩線圈通以直流電流I1= 2A、 I2 = 2A，且兩者磁通方向為互助，則此系統儲存之總磁能為多少焦耳？ (A)26 J (B)32 J (C)38 J (D)50 J

5. 如下圖電路， I1 以及整個電路總共消耗的實功率為何？ (A) I1 = 20∠53.1° A，P = 4500W (B)I1 = 20∠-53.1° A，P = 2000W (C)I1= 20∠-53.1° A，P = 4500W (D) I1= 20∠-53.1° A，P = 6500W

7. 有關 RLC 串聯諧振電路，下列敘述何者錯誤？ (A)當工作頻率低於諧振頻率時，電路的電流會超前電源電壓 (B)電路發生諧振時，電源端提供的視在功率會等於實功率 (C)若減少電路中的電阻值，電路的頻寬會變窄且選擇性變佳 (D)電路諧振時，電感兩端電壓與電容兩端電壓的相位相同，且大小相等

8. 如下圖，線電壓為 220V，則此電路總消耗虛功率為何？ (A)651.2 VAR，電容性 (B)651.2 VAR，電感性 (C)3748.8 VAR，電容性 (D)3748.8 VAR，電感性

9. 如圖所示之穩壓電路，若稽納二極體(Zener Diode)的崩潰電壓為 12V，輸入電壓的範圍為 16V ≦  Vi ≦ 24V，負載電阻的範圍為 600Ω ≦R ≦ 1200Ω。若要維持穩壓功能，則此稽納二極體所消耗之最大功率為何？ (A)480 mW (B)600 mW (C)720 mW (D)840 mW

10. 有關雙載子接面電晶體 (BJT)之敘述，下列何者錯誤？ (A)若要減緩歐力效應(Early Effect)並提高歐力電壓( VA )，元件設計上通常會使基極摻雜濃度( NB)大於集極摻雜濃度( NC)，讓集基接面( JCB)逆向偏壓時的空乏區主要往集極端延伸。 (B)當電晶體進入深度飽和區(Deep Saturation)時，由於集基接面( JCB)與射基接面( JEB)皆處於順向偏壓，基極區內將累積大量超額少數載子，導致穩態時的射極電流必大於集極與基極電流之總和(即 (IE>IB+ IC)以維持電荷平衡。 (C)若將 NPN 電晶體之射極與集極反接並操作於逆向主動區(Reverse-Active Mode)，由於原集極區的摻雜濃度較低，導致載子的射入效率 (Injection Efficiency) 極差，其共射極電流增益βR會遠小於正向主動區的 βF。 (D)為提升 BJT 的高頻切換響應，通常會盡可能縮減冶金基極寬度(Metallurgical base width)，但此舉會增加貫穿效應(Punch-through breakdown)發生的機率，使得基極與集極間的逆向崩潰電壓BVCBO顯著降低。

11. 一個三級串接放大器電路，已知輸入訊號源  Vs = 2mV，內阻 Rs = 1kΩ，負載電阻 RL = 100Ω。各級參數如下。試問輸出電壓Vo為何？ (A)180mV (B)720mV (C)900 mV (D)1.44V

115年 - 115 臺北市立內湖高級工業職業學校_正式教師甄選試題：電機科(基本電學、電子學、電工機械)#139180

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112年 - 112 臺北市市立普通型暨技術型高級中等學校正式教師聯合甄選：電機科#114330

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111年 - 111 教育部受託辦理公立高級中等學校教師甄選試題：機電科、電機科#108075

109年 - 109-1 國立基隆高級商工職業學校教師甄選：電機科#87466

108年 - 高雄市高中教師聯招甄選－電機科#76508