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國營事業◆1.電路學 2.電子學
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102年 - 102 經濟部所屬事業機構_新進職員甄試_電機(甲)、儀電、通信:1.電路學 2.電子學#19799
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試題詳解
試卷:
102年 - 102 經濟部所屬事業機構_新進職員甄試_電機(甲)、儀電、通信:1.電路學 2.電子學#19799 |
科目:
國營事業◆1.電路學 2.電子學
試卷資訊
試卷名稱:
102年 - 102 經濟部所屬事業機構_新進職員甄試_電機(甲)、儀電、通信:1.電路學 2.電子學#19799
年份:
102年
科目:
國營事業◆1.電路學 2.電子學
55. FET 場效電晶體相較於 BJT 電晶體的特性敘述,下列何者有誤?
(A) FET 是單極性裝置
(B) FET 具有高電流驅動能力
(C) FET 可作為對稱性的雙向開關
(D) FET 較無雜訊產生
正確答案:
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詳解 (共 2 筆)
張可揚
B2 · 2019/04/12
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未解鎖
(B) BJT 才是高電流驅動能力
(共 19 字,隱藏中)
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Chung Chan
B1 · 2017/06/02
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未解鎖
FET不具有高電流驅動能力
(共 15 字,隱藏中)
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