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積體電路技術
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110年 - 110 高等考試_二級_電子工程:積體電路技術#101920
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題組內容
三、金氧半場效電晶體(MOSFET)以定電場方式縮小元件尺寸(constant-field scaling),如果尺寸縮小參數(scaling factor)k = 0.7,試輔以數學表示式 說明下列元件或電路參數在微型化後之變化:(每小題 4 分,共 20 分)
(一)通道長度(L)
其他申論題
(一)試以數學表示式定義「等效氧化層厚度」(EOT, equivalent oxide thickness)。(10 分)
#427806
(二)假設氧化鋁的厚度為 20 nm、相對介電常數 εr = 9,試求其等效氧化層 厚度(EOT)為?(10 分)
#427807
(一)試繪圖說明何謂 CMOS 閂鎖(latch-up)效應。(10 分)
#427808
(二)試說明兩種可預防發生 CMOS 閂鎖效應之製程設計。(10 分)
#427809
(二)汲-源極電壓()
#427811
(三)施體或受體摻雜濃度(ND 或 NA)
#427812
(四)閘極電容(CG)
#427813
(五)功率(P)
#427814
(一)試指出濕式蝕刻(wet etching)係具備等向性(isotropic)或非等向性 (anisotropic)蝕刻特性。(5 分)
#427815
(二)請列舉三項控制濕式蝕刻速率之因素。(15 分)
#427816