阿摩線上測驗
登入
首頁
>
積體電路技術
>
110年 - 110 高等考試_二級_電子工程:積體電路技術#101920
>
題組內容
三、金氧半場效電晶體(MOSFET)以定電場方式縮小元件尺寸(constant-field scaling),如果尺寸縮小參數(scaling factor)k = 0.7,試輔以數學表示式 說明下列元件或電路參數在微型化後之變化:(每小題 4 分,共 20 分)
(二)汲-源極電壓(
)
其他申論題
(二)假設氧化鋁的厚度為 20 nm、相對介電常數 εr = 9,試求其等效氧化層 厚度(EOT)為?(10 分)
#427807
(一)試繪圖說明何謂 CMOS 閂鎖(latch-up)效應。(10 分)
#427808
(二)試說明兩種可預防發生 CMOS 閂鎖效應之製程設計。(10 分)
#427809
(一)通道長度(L)
#427810
(三)施體或受體摻雜濃度(ND 或 NA)
#427812
(四)閘極電容(CG)
#427813
(五)功率(P)
#427814
(一)試指出濕式蝕刻(wet etching)係具備等向性(isotropic)或非等向性 (anisotropic)蝕刻特性。(5 分)
#427815
(二)請列舉三項控制濕式蝕刻速率之因素。(15 分)
#427816
五、假設樣品 A 為被氮化鈦(TiN)黏著層完全包覆之銅(Cu)導線,其正方 形截面積為 0.5 μm × 0.5 μm,TiN 之厚度為 t;另樣品 B 為具有相同正方 形截面積之 TiN/鋁(Al)/TiN 堆疊層導線,其上層 TiN 厚度為 40 nm、 下層 TiN 厚度為 60 nm。假設 Cu 之電阻係數為 1.7 μΩ-cm,Al 之電阻 係數為 2.7 μΩ-cm,且樣品 A 與 B 在相同長度之下,具有相同的電阻, 試求樣品 A 之 TiN 黏著層厚度 t =?(20 分)
#427817