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申論題資訊

試卷:110年 - 110 高等考試_二級_電子工程:積體電路技術#101920
科目:積體電路技術
年份:110年
排序:0

題組內容

三、金氧半場效電晶體(MOSFET)以定電場方式縮小元件尺寸(constant-field scaling),如果尺寸縮小參數(scaling factor)k = 0.7,試輔以數學表示式 說明下列元件或電路參數在微型化後之變化:(每小題 4 分,共 20 分)

申論題內容

(三)施體或受體摻雜濃度(ND 或 NA