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半導體工程
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105年 - 105 鐵路特種考試_高員三級_電子工程：半導體工程#53481
> 申論題
題組內容
四、回答下列問題：（每小題 10 分，共 40 分）
⑴一般清洗矽晶圓，都採用 RCA cleans 方式，請說明什麼是 RCA cleans？
相關申論題
⑴在室溫下，具有 3.29 × 1017 cm -3電洞濃度的 P 型鍺材料，假如它的本質濃度（intrinsic concentration, ni）是 2.5 × 1013 cm -3，請計算此材料的電子濃度費米能階與本質 費米能階（intrinsic Fermi level）的能量差距。
#196264
⑵關於金屬與半導體的蕭特基接觸（Schottky contact），請解釋為什麼蕭特基接觸不 會展現出擴散電容（diffusion capacitance）的特性？
#196265
⑵關於 npn 雙極性電晶體，當我們縮小 npn 雙極性電晶體的平面結構（planar configuration）尺寸時，接面深度也必須同時縮減。請說明如何做出淺接面（shallow junction）？
#196267
⑵請比較金屬-氧化層-半導體場效電晶體（metal-oxide-semiconductor field-effect transistor, MOSFET）與調變摻雜場效電晶體（modulation-doped field-effect transistor, MODFET）在元件結構與特性上的差異。
#196269
⑵目前在超大型積體（VLSI）電路的金屬化（metallization）製程，多採用銅導線而 不是鋁導線。因為採用鋁導線會產生電子遷移（electromigration）的問題，請說明 什麼是電子遷移（electromigration）？
#196271
⑶請說明摻雜的二氧化矽（doped silicon dioxide）用途。
#196272
⑷以砷化鎵的磊晶技術為例，請說明化學氣相沉積（chemical vapor deposition, CVD） 與有機金屬化學氣相沉積（metal-organic chemical vapor deposition, MOCVD）兩者 的差異。
#196273
五、隨著技術節點持續微縮，曝光技術亦不斷演進。請說明自曝光波長λ=248 nm KrF 以降，至鰭式場效電晶體（FinFET）時代，如何運用各種 不同的曝光技術與圖案化方法來實現更微小的電路圖案。（20 分）
#560352
(二)如何從汲/源極設計的角度來抑制短通道效應？並說明此方法可能導致的副作用。（12 分）
#560351
(一)請說明為何金氧半場效電晶體（MOSFET）的長通道與短通道元件之臨界電壓會有所不同。（8 分）
#560350
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