阿摩線上測驗
登入
首頁
>
半導體工程
>
105年 - 105 鐵路特種考試_高員三級_電子工程:半導體工程#53481
> 申論題
申論題
試卷:105年 - 105 鐵路特種考試_高員三級_電子工程:半導體工程#53481
科目:半導體工程
年份:105年
排序:0
申論題資訊
試卷:
105年 - 105 鐵路特種考試_高員三級_電子工程:半導體工程#53481
科目:
半導體工程
年份:
105年
排序:
0
題組內容
一、回答下列問題:(每小題 10 分,共 20 分)
申論題內容
⑴在室溫下,具有 3.29 × 10
17
cm
-3
電洞濃度的 P 型鍺材料,假如它的本質濃度(intrinsic concentration, ni)是 2.5 × 10
13
cm
-3
,請計算此材料的電子濃度費米能階與本質 費米能階(intrinsic Fermi level)的能量差距。