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半導體工程
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105年 - 105 鐵路特種考試_高員三級_電子工程:半導體工程#53481
> 申論題
題組內容
四、回答下列問題:(每小題 10 分,共 40 分)
⑶請說明摻雜的二氧化矽(doped silicon dioxide)用途。
相關申論題
⑴在室溫下,具有 3.29 × 1017 cm -3電洞濃度的 P 型鍺材料,假如它的本質濃度(intrinsic concentration, ni)是 2.5 × 1013 cm -3,請計算此材料的電子濃度費米能階與本質 費米能階(intrinsic Fermi level)的能量差距。
#196264
⑵關於金屬與半導體的蕭特基接觸(Schottky contact),請解釋為什麼蕭特基接觸不 會展現出擴散電容(diffusion capacitance)的特性?
#196265
⑵關於 npn 雙極性電晶體,當我們縮小 npn 雙極性電晶體的平面結構(planar configuration)尺寸時,接面深度也必須同時縮減。請說明如何做出淺接面(shallow junction)?
#196267
⑵請比較金屬-氧化層-半導體場效電晶體(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor, MOSFET)與調變摻雜場效電晶體(modulation-doped field-effect transistor, MODFET)在元件結構與特性上的差異。
#196269
⑴一般清洗矽晶圓,都採用 RCA cleans 方式,請說明什麼是 RCA cleans?
#196270
⑵目前在超大型積體(VLSI)電路的金屬化(metallization)製程,多採用銅導線而 不是鋁導線。因為採用鋁導線會產生電子遷移(electromigration)的問題,請說明 什麼是電子遷移(electromigration)?
#196271
⑷以砷化鎵的磊晶技術為例,請說明化學氣相沉積(chemical vapor deposition, CVD) 與有機金屬化學氣相沉積(metal-organic chemical vapor deposition, MOCVD)兩者 的差異。
#196273
五、隨著技術節點持續微縮,曝光技術亦不斷演進。請說明自曝光波長λ=248 nm KrF 以降,至鰭式場效電晶體(FinFET)時代,如何運用各種 不同的曝光技術與圖案化方法來實現更微小的電路圖案。(20 分)
#560352
(二)如何從汲/源極設計的角度來抑制短通道效應?並說明此方法可能導致的副作用。(12 分)
#560351
(一)請說明為何金氧半場效電晶體(MOSFET)的長通道與短通道元件之臨界電壓會有所不同。(8 分)
#560350
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