申論題 - 阿摩線上測驗

申論題資訊

試卷：105年 - 105 鐵路特種考試_高員三級_電子工程：半導體工程#53481
科目：半導體工程
年份：105年
排序：0

四、回答下列問題：（每小題 10 分，共 40 分）

⑷以砷化鎵的磊晶技術為例，請說明化學氣相沉積（chemical vapor deposition, CVD）與有機金屬化學氣相沉積（metal-organic chemical vapor deposition, MOCVD）兩者的差異。