題組內容

四、回答下列問題：（每小題 10 分，共 40 分）

⑷以砷化鎵的磊晶技術為例，請說明化學氣相沉積（chemical vapor deposition, CVD） 與有機金屬化學氣相沉積（metal-organic chemical vapor deposition, MOCVD）兩者 的差異。