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半導體工程
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104年 - 104 高等考試_三級_電子工程:半導體工程#39446
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題組內容
五、TEOS(tetra-ethyloxy-silane)oxide 常使用於 PMD(premetal dielectric)及 IMD (intermetal dielectric),若不加其他摻雜物稱為 USG(undoped silicate glass), 請說明:(每小題 5 分,共 15 分)
⑴ PSG 用途為何及需摻雜何種元素。
相關申論題
⑴反應速率活化能 Ea = 0.5 eV 固定,T = 450 K 之反應速率為 T = 400 K 之幾倍?
#117690
⑵ T = 400 K 固定,當 Ea = 0.4 eV 時之反應速率為 Ea = 0.5 eV 之幾倍?
#117691
⑴三層堆疊換算成 SiO2 之等效厚度(equivalent oxide thickness)為多少?
#117692
⑵加上偏壓 5 V 於三層材料,各別之壓降 VAl2O3、VHfO2 及 VSiO2 為多少?
#117693
三、在 n 通道 MOSFET 製程技術中,利用間隙壁(spacer)及兩次離子佈植實施 LDD (lightly doped drain)結構,請說明製程步驟。(15 分)
#117694
四、在 p 通道 MOSFET 製程技術中,利用深淺不同之離子佈植進行臨限電壓調整 (VT-adjust)及抗擊穿(antipunch-through)佈植,請以 p-MOSFET 元件結構剖面 圖說明兩佈植區域位置及其實施理由。(15 分)
#117695
⑵ BPSG 用途為何及需摻雜何種元素。
#117697
⑶ FSG 用途為何及需摻雜何種元素。
#117698
⑴ n =?(8 分)
#117699
⑵ DC bias =?(7 分)
#117700
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